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太赫兹阵列天线 ，大面积激发太赫兹发射器
产品简介
飞秒激光脉冲激发的光电导天线太赫兹发射器，是单周期太赫兹（THz）辐射脉冲的常用光源。通过采用叉指电极结构，我们显著提升了发射器效率与太赫兹输出功率。为避免沿相反方向加速的电子所产生的太赫兹子波发生相消干涉，第二金属层（图中绿色部分）可抑制电极每隔一个间隙处的载流子光生过程。基于该专利设计的发射器，可通过上海太洛光电科技有限公司商购获得。
可扩展太赫兹发射器为电极结构设计提供了灵活性，据此可生成不同于常用线偏振高斯光束的模式。我们已通过光电导发射器实现了径向偏振与角向偏振太赫兹光束的产生。其中径向偏振光束具有独特优势：与线偏振光束相比，其聚焦光斑尺寸更小，且在焦点处存在纵向场分量。
采用非极性材料锗（Ge）替代传统 III-V 族半导体作为光电导材料，因不存在剩余射线带（Reststrahlenband），可实现高达 70 太赫兹的极宽太赫兹带宽。
太赫兹阵列天线特点
——> 基于半绝缘砷化镓（GaAs）的大面积可扩展发射器
——>操作简便：只需将其置于透射几何结构的近红外光束中即可
——>适用于产生强单周期太赫兹脉冲，是非线性太赫兹光谱学的理想选择
——>太赫兹场强、光谱宽度取决于激发激光系统与探测系统。若用强激光脉冲激发，需控制发射器上的激光光斑尺寸以避免饱和。典型参数见下表。
观测到的太赫兹振幅严重依赖于整个太赫兹时域光谱系统的多项参数，尤其是激光脉冲持续时间、探测晶体与聚焦光学元件。使用 TeraSED-10 设备可轻松达到左栏所列参数（为保证值），无需额外操作。在优化配置下可实现更高参数（见括号内数值）。
THz电场强度 | 激励光脉冲能量 | 激励光光斑尺寸 | THz电场强度 |
0.1kV/cm-0.3kV/cm | 10nJ | 0.3mm | 0.1kV/cm-0.3kV/cm |
5kV/cm-17kV/cm | 4uJ | 1mm | 5kV/cm-17kV/cm |
太赫兹阵列天线参数
偏置电压 | 偏压类型 | 最大占空比 | 最大激发功率@300um聚焦光斑 |
10V | DC | NA | 200mW |
±10V | 脉冲 | 50% | 200mW |
15V | 脉冲 | 25% | 600mW |
激发光参数* | |||
重复频率 | 脉宽 | 波长 | 激发功率 |
≥50MHz | ≤200fs | 760nm-820nm | 取决于重复频率和光斑尺寸 |
*该型号天线也可以被放大级激光脉冲激发，使用方法根据激光器参数具体咨询
太赫兹阵列天线的典型太赫兹时域光谱和频谱，探测端为110cut, 25um厚度的ZnTe晶体
太赫兹阵列天线的不同封装形式